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英特尔联合美光研发NAND闪存技术
2007-5-18

据国外媒体报道,英特尔和美光科技于近日公布了一项高速的NAND闪存技术,传输速度是现有NAND闪存的5倍之多。

  这项高速NAND闪存技术是由英特尔和美光共同开发而成,该技术符合最新的接口规范定义,即所谓的开放式NAND闪存接口 (ONFi)工作组制定的ONFi 2.0标准,该标准定义了高速NAND闪存接口速度为133MB/s。而先前的NAND闪存的传输数率最高不超过50MB/s。难怪当应用于固态硬盘之时,如此的传输数率将无疑会牵制相关程序的运行速度。

  通过对双倍速率信令(double-data-rate signaling)和同步来源时钟(source synchronous clocks)的使用,基于ONFi 2.0标准的相关设备才能加速数据的读取速度减少数据缓冲时间。

  美光NAND闪存部门市场部经理Kevin Kilbuck表示,就是这些技术解决了NAND闪存接口传输速度的瓶颈。据悉,美光和英特尔曾合作建立了一个NAND闪存合资企业(IM Flash Technologies LLC),双方表示,新公司将主要采用美光在NAND技术上的开发经验以及高效率的生产设备,以及Intel的多级单元(MLC)技术来共同发展NAND闪存业务。

  此次英特尔和美光合作的高速NAND闪存接口技术基于SLC技术,虽说符合ONFi 2.0标准,但是由于采用了更为先进的four-plane架构,其接口读取最高可达200MB/s,而写入速度也高达100MB/s。非常适合开发新的缓存辅助加速、固态硬盘产品,籍此开发的嵌入式和便携式方案也能更充分地利用PCI-E 2.0、USB 3.0等高带宽总线的优势。相比之下传统的闪存接口读写速度分别是40MB/s 和20MB/s,差距之大令人咂舌。

  高速传输的特点加速数据处理、视频图片以及其它应用程序的处理速度。此外还能够提高使用闪存作为存储介质的诸如某些电脑、数码相机、MP3和手机的数据传输速度。

  英特尔NAND产品部门IA平台营销主管Pete HazenPete Hazen表示,“整个计算市场正在迎接基于NAND的解决方案的到来,通过使用缓存和固态硬盘提高系统性能。除了在性能上是传统 NAND 的5倍外,这项由英特尔与Micron 共同开发、基于ONFi 2.0产业标准的高速NAND技术将会实现利用包括PCIe 和诸如USB3.0等即将到来的标准在内的高性能系统接口的新的嵌入和可移动解决方案。”

  比如在混合硬盘中使用时,与传统的硬盘相比,高速NAND可使系统能够在任何位置以2倍或4倍的速度读取和写入数据。

  为了抢占市场制高点,美光已经开始使用这种新技术试产8GB闪存芯片的样品,并采用了50纳米工艺。这款8GB单级单元(SLC )高速NAND闪存将会提供给OEM厂商,预计今年下半年就能投入大批量生产。估计明年就能揭开基于ONFI 2.0标准闪存产品的神秘面纱,这其中包括了多级单元(MLC)高速NAND闪存产品。

  科学发展永无止境,ONFi组织成员中包括Hynix半导体、英特尔、美光、索尼公司和意法半导体公司还将继续研发更为高速的闪存技术,试图将传输速度提高至400 MB/s。预计到2009年新的ONFi的标准将会孕育而出。 
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